info@csceramic.com
Товары из категории Silicon Carbide Plate
-
Пластина Из Карбида Кремния | Пластина SiC Для ПродажиSic огнеупорная установочная пластина в форме рыбы для печной мебели sic setter широко используются для систем загрузки туннельных печей, челночных печей и многих других промышленных печей. -
Лоток Из Карбида Кремния Высокой Чистоты Для Полупроводниковых Процессов RTA PVD ICP CMPПоднос из карбида кремния высокой чистоты, полученный путем спекания, служит долговечным несущим устройством в процессах производства полупроводников, таких как RTA, PVD, ICP и CMP.
-
Керамическая Пуленепробиваемая Пластина SiC Уровня NIJ IV Для Броневой Подкладки И Защитного ЭкранаКерамическая пуленепробиваемая пластина SiC отличается высокой твердостью (HV2600+), защитой уровня NIJ IV и идеально подходит для подкладки бронежилетов, а также брони транспортных средств, самолетов и кораблей.
-
Карбид Кремния Шестиугольника Покрывает Керамическую Регулярную Длину 20-400мм/Толщину 6-25 Буллистической Плиты Шестиугольника Чистоту 90%КустомизедКарбид кремния (SiC) представляет собой легкий керамический материал с высокими прочностными характеристиками, сравнимыми с алмазом. Это превосходное керамическое сырье для применений, требующих хорошей эрозионной и абразивной стойкости. -
Высокоскоростные Пластины SOI, Кремний На Изоляторе Малой Мощности Для ИС И МЭМСКНИ-пластины, кремний-на-изоляторе, где тонкий слой кремния находится на изолирующей подложке, обеспечивают высокоскоростную работу с низким энергопотреблением за счет уменьшения емкости, тока утечки и повышения скорости переключения, что широко применяется в микроэлектронике и появляется в фотонике и МЭМС.
-
Высокомощная Керамическая Подложка Из Карбида Кремния, Проводящие И Полуизолирующие ТипыПодложка SiC, основной материал для полупроводниковых чипов проводящего и полуизолирующего типов, поддерживает высокотемпературные, высоковольтные и мощные приложения, доступна диаметром 2–8 дюймов (50–200 мм).
-
SiC Пластина Для МОП-Транзисторов, Диодов Шоттки И ФотодиодовПластина карбида кремния, полупроводниковый материал нового поколения, используется для производства МОП-транзисторов, диодов Шоттки, фотодиодов и других электронных устройств.
+86073123455639